待验证50% 置信事实精确时间

NAND闪存基于浮栅晶体管对电荷的捕获与释放，具有读快写慢特性，通常仅支持3,000至10,000次程序/擦除（P/E）循环

1

来源数

50%

置信度

长期有效

时效性

2026/7/19

首次发现

来源

高带宽闪存（HBF）：破解AI大模型存储瓶颈的新路径

相关事实

待验证NAND裸片的读取时间（tR）约为25至75μs，远高于DRAM的约50ns66% 相似待验证现代3D NAND现已达200层以上，是单颗芯片内部沿垂直方向堆叠存储单元的工艺65% 相似

引用此条事实

Stable URI

https://kongchang.com/claim/559608

API

curl https://kongchang.com/api/v1/knowledge/claims/559608

MCP

get_claim(id=559608)