长鑫存储
中国大陆具备DRAM量产能力的存储芯片厂商，专注于动态随机存取存储器的研发与制造，是中国半导体存储自主化的核心企业之一
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本届湾芯展定向邀约了华虹半导体、粤芯半导体、积塔半导体、长江存储、武汉新芯、晶合集成、长鑫存储、士兰微等43家Fab核心晶圆制造企业开展洽谈，累计吸引超6500位专业采购商到场。
2026年10月10日，长鑫存储总裁曹堪宇称公司预计年底推出采用4F² DRAM架构的新一代DDR5 RDIMM产品。
长鑫存储目前在全球DRAM市场营收份额约为9.5%，已成为全球第四大DRAM制造商。
长鑫存储总裁曹堪宇披露名为4F²的DRAM架构，预计年底推出采用该技术的新一代DDR5 RDIMM产品，该架构采用VSG垂直包围沟道晶体管
长鑫存储启动349亿元扩产计划，攻关高频存储芯片与先进制程，明确优先采购国产设备
若长鑫存储产能单月晶圆投片量达数万片以上，将对全球DRAM供需平衡产生不可忽视的扰动
长鑫存储产能扩张的短期影响可能体现在中国大陆本土采购替代上，而非立即冲击全球基准价格
长鑫存储（CXMT）宣布其新一代内存芯片平台正式进入量产阶段
长鑫存储是中国大陆目前少数具备DRAM量产能力的企业之一
长鑫存储目前已公开的量产节点为17nm级别，对应其第三代DDR4/LPDDR4产品
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全部知识事实 (11)
长鑫存储目前已公开的量产节点为17nm级别，对应其第三代DDR4/LPDDR4产品
50%待验证长鑫存储产能扩张的短期影响可能体现在中国大陆本土采购替代上，而非立即冲击全球基准价格
50%待验证长鑫存储的量产制程节点与国际头部厂商之间仍存在约两代左右的差距
50%待验证长鑫存储是中国大陆目前少数具备DRAM量产能力的企业之一
50%待验证2026年10月10日，长鑫存储总裁曹堪宇称公司预计年底推出采用4F² DRAM架构的新一代DDR5 RDIMM产品。
50%待验证长鑫存储总裁曹堪宇披露名为4F²的DRAM架构，预计年底推出采用该技术的新一代DDR5 RDIMM产品，该架构采用VSG垂直包围沟道晶体管
50%待验证长鑫存储启动349亿元扩产计划，攻关高频存储芯片与先进制程，明确优先采购国产设备
50%待验证若长鑫存储产能单月晶圆投片量达数万片以上，将对全球DRAM供需平衡产生不可忽视的扰动
50%待验证长鑫存储（CXMT）宣布启动HBM3亿级内存的风险量产
50%待验证长鑫存储的HBM预计最快2027年可正式商用
50%待验证长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3高带宽内存
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