概念
3D NAND
三维闪存存储技术，通过垂直堆叠存储单元层实现高密度存储，其多层堆叠思路被借鉴到未来逻辑芯片的三维立体结构设计中
时间轴 (近 90 天)
9月10日
美光的232层3D NAND于2022年实现量产，当前业界领先的3D NAND技术已实现超过200层的垂直堆叠
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三维闪存存储技术，通过垂直堆叠存储单元层实现高密度存储，其多层堆叠思路被借鉴到未来逻辑芯片的三维立体结构设计中
美光的232层3D NAND于2022年实现量产，当前业界领先的3D NAND技术已实现超过200层的垂直堆叠