概念对比式主观评分
CMOS
一种对比式主观评分方法，通过让听测者比较两个系统的输出质量来评估语音合成效果
时间轴 (近 90 天)
10月23日
iToF 存在最大无模糊距离（由调制频率决定），且对多路径干扰和低反射率表面更敏感，但其传感器结构简单、可基于标准 CMOS 工艺制造，因此成本低、体积小。
待验证50%
10月19日
RRAM是一种新型非易失存储技术，通过施加电压改变介质电阻态来存储数据，理论上具备高密度、低功耗、可与CMOS后端工艺集成等优势，但容量扩展、良率、一致性与耐久性仍是工程难点。
待验证50%
10月11日
相比成熟的CMOS工艺，光子集成电路的良率、成本和设计工具链仍不成熟
待验证50%
9月29日
在 CMOS 工艺中，NAND 门比等效的 AND 门或 NOR 门所需的晶体管更少、速度更快、功耗更低
待验证50%
9月29日
一个标准 CMOS NAND 门通常由 4 个晶体管构成，277,248 个 NAND 门对应约 110 万个晶体管
待验证50%
9月2日
一次32位浮点乘法在典型CMOS工艺下消耗的能量约为一次加法的5-10倍
待验证50%
全部知识事实 (6)
待验证
iToF 存在最大无模糊距离（由调制频率决定），且对多路径干扰和低反射率表面更敏感，但其传感器结构简单、可基于标准 CMOS 工艺制造，因此成本低、体积小。
50%待验证RRAM是一种新型非易失存储技术，通过施加电压改变介质电阻态来存储数据，理论上具备高密度、低功耗、可与CMOS后端工艺集成等优势，但容量扩展、良率、一致性与耐久性仍是工程难点。
50%待验证相比成熟的CMOS工艺，光子集成电路的良率、成本和设计工具链仍不成熟
50%待验证在 CMOS 工艺中，NAND 门比等效的 AND 门或 NOR 门所需的晶体管更少、速度更快、功耗更低
50%待验证一个标准 CMOS NAND 门通常由 4 个晶体管构成，277,248 个 NAND 门对应约 110 万个晶体管
50%待验证一次32位浮点乘法在典型CMOS工艺下消耗的能量约为一次加法的5-10倍
50%