概念鳍式场效应晶体管
FinFET
鳍式场效应晶体管，将硅鳍片立起使栅极从三面控制沟道，是GAA之前的主流晶体管架构，曾支撑多个制程节点的性能提升
时间轴 (近 90 天)
10月23日
短沟道效应必须从器件结构上增强栅极对沟道的静电控制来解决，这是 FinFET 与 GAA 出现的根本动因。
待验证50%
10月23日
FinFET 将沟道做成垂直薄鳍片，栅极从三个侧面覆盖控制沟道，大幅提升栅极控制力并有效抑制短沟道效应。
待验证50%
10月23日
FinFET 成为延续摩尔定律的关键技术。
待验证50%
10月23日
从平面到 FinFET 再到 GAA，晶体管演进的逻辑始终是让栅极离沟道更近、包裹得更全面，以更好的控制实现更少的泄漏。
待验证50%
9月15日
GAA（全环绕栅极）晶体管的栅极完整环绕纳米片或纳米线，实现四面全包裹，而FinFET中栅极从三面包裹鳍状硅结构
待验证50%
9月15日
在埃米级别的微小尺度下传统的FinFET架构已难以为继，业界普遍采用GAA晶体管来控制漏电、提升性能
待验证50%
全部知识事实 (7)
待验证
芯片制程进入亚纳米时代（2nm及以下节点），晶体管结构已从FinFET演进到GAA（Gate-All-Around）纳米片架构
90%待验证短沟道效应必须从器件结构上增强栅极对沟道的静电控制来解决，这是 FinFET 与 GAA 出现的根本动因。
50%待验证FinFET 成为延续摩尔定律的关键技术。
50%待验证从平面到 FinFET 再到 GAA，晶体管演进的逻辑始终是让栅极离沟道更近、包裹得更全面，以更好的控制实现更少的泄漏。
50%待验证FinFET 将沟道做成垂直薄鳍片，栅极从三个侧面覆盖控制沟道，大幅提升栅极控制力并有效抑制短沟道效应。
50%待验证在埃米级别的微小尺度下传统的FinFET架构已难以为继，业界普遍采用GAA晶体管来控制漏电、提升性能
50%待验证GAA（全环绕栅极）晶体管的栅极完整环绕纳米片或纳米线，实现四面全包裹，而FinFET中栅极从三面包裹鳍状硅结构
50%