概念硅通孔 / Through-Silicon Via
TSV
一种穿透硅晶圆的垂直互连技术，用于实现多层芯片堆叠时的层间高速互联，是HBM等3D堆叠封装的关键工艺
时间轴 (近 90 天)
10月18日
在AI Agent工作流中选用TSV而非JSON日志，是因为TSV无嵌套、无schema迁移问题，且tail、awk、grep可直接处理，无需额外日志聚合服务。
待验证50%
9月9日
HBM采用TSV技术在极薄的DRAM晶圆上钻出数千个微米级通孔，每层DRAM die需要研磨至约30-40微米厚度
待验证60%
8月23日
HBM通过TSV（硅通孔）垂直互连多层DRAM，HBM3为8-12层，TSV是直径约5-10微米的铜柱
待验证50%