概念极紫外光刻 / EUV光刻
EUV
极紫外光刻技术，使用波长13.5nm的极紫外光进行光刻，是先进制程节点芯片制造的核心工艺，设备由ASML独家供应
时间轴 (近 90 天)
10月22日
英特尔10纳米节点原定2016年量产，实际拖到2018年才启动制造，导致台积电在EUV导入上领先约四年。
待验证50%
10月14日
ASML的订单从签订到确认收入通常间隔12至24个月，EUV设备因复杂度更高，交付周期更长。
待验证50%
9月22日
相较于DUV或EUV光刻，NIL无需昂贵光学系统、设备成本较低、可处理大面积基板，并能实现亚10纳米级别的图案分辨率
待验证50%
9月8日
EUV光刻设备供应商（如荷兰ASML）产能有限，交货周期长达2-3年
待验证50%