TSMC
台积电（TSMC，台湾积体电路制造股份有限公司）是全球最大的专业半导体晶圆代工企业，总部位于台湾新竹。公司专注于为客户提供集成电路的制造服务，不自行设计或销售芯片产品。台积电掌握业界领先的先进制程技术，服务对象涵盖全球主要芯片设计公司，在全球半导体产业链中占据核心地位。
核心事实
时间轴 (近 90 天)
高通 Snapdragon X 系列芯片目前主要由台积电代工，而台积电的先进制程产能集中在台湾地区。
Chiplet架构通过将SoC拆分为多个小芯片，分别用最适合的制程制造，再通过先进封装（如台积电CoWoS、Intel EMIB）互连，是当前高性能处理器的主流设计范式。
DMR列出的数据中心半导体主要参与者包括Intel、NVIDIA、AMD、Broadcom、Qualcomm、三星电子、Micron、SK hynix、TSMC和Marvell Technology。
GB202采用台积电4N工艺制造，拥有920亿个晶体管
B70 基于 XE2 Battlemage 架构（台积电 N5 工艺），拥有 32 个 XE 核心、256 个 XMX 引擎，带宽 608GB/s，FP32 约 23 TFLOPS
英伟达GPU能效提升由台积电/三星更先进制程（从7nm到4nm）以及芯片架构优化共同驱动
骁龙X2 Elite基于台积电4nm工艺制造，采用12核Oryon CPU架构
台积电在N2节点开始引入纳米片（nanosheet）技术，并将其称为'纳米片晶体管'（Nanosheet FET）
台积电A14工艺节点是1.4纳米级别的制程，命名中的'14'对应14埃米（Angstrom），约等于1.4纳米
台积电从传统的'纳米'命名逐步过渡到以'A'（埃米）为单位的命名体系
还有 10 条时间轴事件
全部知识事实 (20)
AMD 3D V-Cache技术通过在CCD上方垂直堆叠额外SRAM缓存芯片，将L3缓存从32MB扩展至96MB甚至更多
70%已验证3D V-Cache基于台积电（TSMC）的SoIC先进封装技术，采用混合键合（Hybrid Bonding）工艺将额外的SRAM缓存芯片堆叠在处理器的CCD上方
65%待验证The Snapdragon 865 is manufactured on TSMC's 7nm process, featuring one 2.84GHz Cortex-A77 prime core, three 2.42GHz mid cores, and four 1.8GHz efficiency cores
90%待验证Arrow Lake是Intel第一代桌面分离式模块化架构，采用Intel 20A和台积电N3B等多种工艺节点混合封装
90%待验证Arrow Lake处理器的计算核心采用台积电3nm工艺制造
80%待验证TSMC has raised foundry prices multiple times, with cumulative increases exceeding 20%
75%待验证台积电先进制程（3nm/5nm）每片晶圆成本已超过2万美元，较28nm时代翻了数倍
75%待验证Gaming console core processors (APUs) are typically designed by AMD and manufactured by TSMC
60%待验证The Xbox Series X uses a custom AMD Zen 2 + RDNA 2 APU based on TSMC's 7nm process
60%待验证高通 Snapdragon X 系列芯片目前主要由台积电代工，而台积电的先进制程产能集中在台湾地区。
50%待验证Chiplet架构通过将SoC拆分为多个小芯片，分别用最适合的制程制造，再通过先进封装（如台积电CoWoS、Intel EMIB）互连，是当前高性能处理器的主流设计范式。
50%待验证DMR列出的数据中心半导体主要参与者包括Intel、NVIDIA、AMD、Broadcom、Qualcomm、三星电子、Micron、SK hynix、TSMC和Marvell Technology。
50%待验证GB202采用台积电4N工艺制造，拥有920亿个晶体管
50%待验证B70 基于 XE2 Battlemage 架构（台积电 N5 工艺），拥有 32 个 XE 核心、256 个 XMX 引擎，带宽 608GB/s，FP32 约 23 TFLOPS
50%待验证英伟达GPU能效提升由台积电/三星更先进制程（从7nm到4nm）以及芯片架构优化共同驱动
50%待验证骁龙X2 Elite基于台积电4nm工艺制造，采用12核Oryon CPU架构
50%待验证台积电已采购High-NA EUV设备用于研发
50%待验证台积电A14工艺节点是1.4纳米级别的制程，命名中的'14'对应14埃米（Angstrom），约等于1.4纳米
50%待验证台积电从传统的'纳米'命名逐步过渡到以'A'（埃米）为单位的命名体系
50%待验证台积电的制程路线图从N5（5nm）、N3（3nm）推进到N2（2nm），A14是继N2之后的又一代先进工艺
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